jet300nt程序調(diào)試及原理
jet300nt程序調(diào)試及原理
FET可分為二種：a. JFET、b. MOSFET 空乏型及增強(qiáng)型。
a. MOSFET增強(qiáng)型如圖：
程式設(shè)定如下：
Device | STDVAL | ACTVAL | +% | -% | MD | A | B | G1 |
Q1 | 0 | 0.7V | 30% | 30% | DT | 3 | 2 | |
Q1 | 0.2 | 3V | 10% | 70% | N | 2 | 3 | 1 |
控制閘極(gate)電壓由2V~3V直到導(dǎo)通為止，即可測(cè)試出來(lái)。
b. JFET. MOSFET空乏型
程式設(shè)定如下：
Device | STDVAL | ACTVAL | +% | -% | MD | A | B | G1 |
Q1 | 3 | 3V | 30% | 30% | PF | 2 | 2 | 1 |
Q1 | 0.2 | 01V | 30% | 90% | N | 2 | 3 | 1 |
控制閘極(gate)電壓直到夾止。
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2. 試問(wèn)如何用三端點(diǎn)量測(cè)法來(lái)測(cè)試電晶體 ?
| 日規(guī)電晶體量測(cè)只須量BC、BE兩端之二極體，就可量測(cè)到是否空焊反接(如程式1、2項(xiàng))，但美規(guī)電晶體由於Base腳在中間，因此須用三端點(diǎn)來(lái)量測(cè) (程式第3項(xiàng))，才能偵測(cè)到反接的問(wèn)題。 |
程式設(shè)定如下
STEP | Device | STDVAL | ACTVAL | +% | -% | MD | A | B | G1 |
1 | Q1 | 0 | 0.7V | 30% | 30% | DT | 1 | 2 | |
2 | Q1 | 0 | 0.7V | 30% | 30% | DT | 1 | 3 | |
3 | Q1 | 0.2V | 1V | 10% | -90% | N | 2 | 3 | 1 |
控制基極(B)電壓，使電晶體飽合。
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| 3.試問(wèn)電容、電阻、電感、二極體在何種情形下無(wú)法量測(cè) ? |
Paralleled | R1 | L1 | C1 | D1 |
R2 | 1 | 2 | 3 | 4 |
L2 | 2 | 5 | 6 | 7 |
C2 | 3 | 6 | 8 | 9 |
D2 | 4 | 7 | 9 | 10 |
|
4. 試問(wèn)JET-300可否擴(kuò)充成雙壓床 ?
| 可。只須將程式JET300N.EXE RENAME成JET300D.EXE。再將MotherBoard上ReTest跳線拿掉，機(jī)器便可使用雙壓床。 |
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| 量Testjet sensor plate 二端， 先到編輯程式將cursor移至待測(cè)sensor plate測(cè)試項(xiàng)目，按F9 |
1.當(dāng)Vdc=0V時(shí)， 可能：
a. 探針號(hào)碼設(shè)定有誤
b. SYSTEM BOARD，MULTIPLEX BOARD 或.CABLE**
c. 有斷線現(xiàn)象
2.當(dāng)Vdc=5V時(shí)，sensor plate有斷開(kāi)現(xiàn)象
3.當(dāng)Vdc=0.7V時(shí)，sensor plate有裝反現(xiàn)象
4.當(dāng)Vdc=4.5V時(shí)，sensor plate裝配正常. 如果sensor的量測(cè)不正常， 則應(yīng)是sensoramplifier損壞.
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| 6.試問(wèn)壓床的蜂巢板壓下後不會(huì)自動(dòng)測(cè)試是那裡有問(wèn)題 ? |
1. 程式狀態(tài) (status)下未設(shè)定自動(dòng) (Fix auto ON)
2. 氣壓缸上底部的近接開(kāi)關(guān)未調(diào)整定位
3. SYSTEM BOARD、CABLE或光電控制板**
4. 壓床控制線鬆動(dòng)
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一般小電阻量測(cè)(0.1Ω~2Ω)，可以把它當(dāng)成JUMPER的方式測(cè)量但只可量測(cè)有無(wú)缺件. 若需較精確的量測(cè)，就須用四端量測(cè).原理如下： |
信號(hào)源和量測(cè)各有自己的回路，因此可準(zhǔn)確量測(cè)RX上的壓降。 |
| 應(yīng)用：小電阻如 0.1Ω~10Ω，小電感，小電容量測(cè)時(shí)會(huì)受到 cable 和探針接觸**的影響，而造成測(cè)試不穩(wěn)，而四線量測(cè)就可以解決這些問(wèn)題。 由二線式改為四線式量測(cè)法的修改說(shuō)明如下： |
a. relay board需做以下修改，JA， JB， JC 跳線拿掉， 使之開(kāi)路OPEN。
b. JA0， JA1， JA2， JA3， JB0， JB1， JB2， JB3， JG0， JG1， JG2， JG3
原本短路情況為 
將其斷開(kāi)，短路另一側(cè)。
c. 此時(shí)Relay board只剩下32點(diǎn)， 因?yàn)?*連接器已被當(dāng)成sense使用。
d. 程式方面須做如下設(shè)定：
Device | STDVAL | ACTVAL | +% | -% | MD | A | B | G |
R1 | 0.1 | 30% | 30% | D1 | 1 | 2 |
e. 在此設(shè)定下，電阻值*小可量測(cè)到0.01Ω。
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8. 試問(wèn) JET-300 可否可做 Functional test?
可。目前本公司只提供+5V、-5V、+12V、+3.3V。
硬體方面， 治具須追加一個(gè)molex 7 pin母座之轉(zhuǎn)換板，以做為插槽之用，程式方面則須做以下設(shè)定。
STEP | Device | Lc | STD | ACT | +% | -% | MD | TM | A | B | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | A | B | C | D | E | F | G | E |
1 | Vcc | A1 | 5 | 0V | 5 | 5 | HV | 10 | 2 | 5 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 |
2 | Vcc3 | A1 | 3.3 | 0V | 5 | 5 | HV | 0 | 10 | 5 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 |
3 | END | A1 | 1 | 0V | 5 | 5 | HV | 10 | 2 | 5 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 |
在程式編輯下按"ALT+K"會(huì)顯示編輯Relay碼。將STEP 2之第4及e填入1，
並將 Relay 開(kāi)啟送出所需電源。量完須關(guān)閉電源。 (如STEP3)
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9. 試問(wèn)二個(gè)並聯(lián)二極體 (如下圖) 如何量測(cè) ?
二極體並聯(lián)須用CM mode 量測(cè)。程式須設(shè)定如下：
STEP | Device | Lc | STD | ACT | +% | -% | MD | RG | TM | A | B |
1 | D1 | A1 | 0 | 0.7V | 30 | 30 | DT | 0 | 0 | 10 | 20 |
2 | D1 | A1 | 40mA | 0.7V | 10 | 10 | CM | 0 | 0 | 10 | 20 |
STEP2須加電壓(ACTVAL) 0.6V左右，調(diào)整ACTVAL電壓使其電流量到約40mA。
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10. 試問(wèn)Debug RelayBoard出現(xiàn)錯(cuò)誤訊息時(shí)， 如何判斷那塊板子的那個(gè)Relay 有問(wèn)題 ?
茲舉例說(shuō)明之：
Open on B130 (B3: P2)
意指B開(kāi)關(guān)第3片板的第2點(diǎn)B Relay損壞，因此只要將該Relay換掉即可。
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(1)漏電流量測(cè)：
假設(shè)C1為100uF25V，將程式修改為STEP 2，按F9測(cè)試量測(cè)電容之正常漏電流，
並將它填入STDVAL，如果C1反向則漏電流會(huì)增大
STEP | DEVICE | STDVAL | ACTVAL | +% | -% | MD | A | B |
1 | C1 | 0 | 100uF | 30 | 30 | DT | 10 | 20 |
2 | C1 | 1.4mA | 10V | 30 | 30 | CM | 10 | 20 |
註：每個(gè)電容值耐壓都有不同，所以在ACTVAL之電壓是不一定的。
(2)三端點(diǎn)量測(cè)：
此方法用於量測(cè)電解電容，此量測(cè)法須於電容上端栽針(如圖)，程式修改如下：
STEP | DEVICE | STDVAL | ACTVAL | +% | -% | MD | T | A | B | G |
3 | C2 | 0 | 10uF | 30 | 30 | DC | 0 | 10 | 20 | 0 |
4 | C2 | 0.1 | 0.2V | 30 | 0 | LV | 10 | 30 | 10 | 20 |
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NPN電晶體：
A點(diǎn)接Q3~c，B點(diǎn)接Q3~e，G1點(diǎn)接Q3~b
ACTVAL 送出Vb電壓(0~5V)；MD為N，RG為+1，STDVAL填入β值，調(diào)整Vb電壓，
使其讀到之β值為*大*穩(wěn)定如( STEP 1 )
PNP電晶體：
A點(diǎn)接Q4-e，B點(diǎn)接Q4-c，G1點(diǎn)接Q4-b
ACTVAL送出Vb電壓(5~0V)；MD為P， RG為+1，STDVAL填入β值，調(diào)整Vb電壓，
使其讀到之β值為*大*穩(wěn)定( STEP 2 )
STEP | DEVICE | LC | STDVAL | ACTVAL | +% | -% | MD | RG | TM | A | B | G1 | G2 |
1 | Q3 | D1 | 100 | 1.0V | 30 | 30 | N | 1 | 5 | 2 | 3 | 1 | 0 |
2 | Q4 | D1 | 100 | 4.1V | 30 | 30 | P | 1 | 5 | 2 | 3 | 1 | 0 |
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13.如何量測(cè)主機(jī)板上電源穩(wěn)壓IC之輸出電壓 ?
首先需要外加電源， 機(jī)器的修改方法如附圖A。
a. 治具追加一個(gè)有Molex 7 pin母座之轉(zhuǎn)換版。
b. Pin 1 (輸出為5V)接至 NET NAME 為 VCC的探針 (預(yù)設(shè)為2號(hào)探針)。
c. Pin 2 (為電源輸出的GND)接至 NET NAME 為GND的探針 (預(yù)設(shè)為5號(hào)探針)。
d.Pin 7(輸出為3.3V) 接至 NET NAME 為VCC3的探針 (預(yù)設(shè)為10號(hào)探針)。
e. 參考附圖B及下列程式， 便可測(cè)試其電源穩(wěn)壓IC之輸出電壓VCC2， VTT。
STEP | Device | Lc | STD | ACT | +% | -% | MD | RG | TM | A | B | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | A | B | C | D | E | F | G | E |
1 | Vcc | A1 | 5 | 0V | 10 | 10 | HV | 0 | 10 | 2 | 5 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 |
2 | Vcc3 | A1 | 3.3 | 0V | 10 | 10 | HV | 0 | 0 | 10 | 5 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 |
3 | END | A1 | 12V | 0V | 5 | 5 | HV | 0 | 0 | 15 | 5 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 |
4 | +12V | A1 | 2.5 | 0V | 5 | 5 | HV | 0 | 0 | 80 | 5 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 |
5 | V2.5 | A1 | 2.1 | 0V | 5 | 5 | HV | 0 | 0 | 99 | 5 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 |
6 | VTT | A1 | 1mA | 0.1V | 00 | 00 | CM | 0 | 10 | 2 | 5 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 |
7 | END | A1 | 1mA | 0.1V | 00 | 00 | CM | 0 | 10 | 2 | 5 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 |
8 | END | A1 | 0.1 | 0V | 10 | 00 | HV | 0 | 10 | 2 | 5 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 |
9 | END | A1 | 1mA | 0.1V | 00 | 00 | CM | 0 | 10 | 10 | 5 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 |
10 | END | A1 | 0.1 | 0V | 10 | 00 | HV | 0 | 10 | 10 | 5 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 |
11 | END | A1 | 1mA | 0.1V | 00 | 00 | CM | 0 | 10 | 15 | 5 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 |
12 | END | A1 | 0.1 | 0V | 10 | 00 | HV | 0 | 10 | 15 | 5 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 |
假設(shè)STEP 8， 10 和12未放它至0.1V以下， 須增加STEP 7， 9 和11的TM值，
繼續(xù)量測(cè)直到STEP 8， 10 和12的STD 值至0.1V以下
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